O Módulo IGBT BSM50GX120DN2 Infineon é um componente de potência semicondutor projetado para alta eficiência em conversão e controle de energia em sistemas de automação industrial. Ele oferece capacidade de chaveamento rápido e perdas reduzidas, sendo crucial para o desempenho de inversores, conversores e acionamentos motorizados.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Fabricante: Infineon
• Modelo: BSM50GX120DN2
• Configuração: Dual (dois IGBTs e dois diodos de roda livre conectados em meio-ponte)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima: 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic) @ 80°C: 50 A
• Corrente de Pulso de Coletor (Icm): 100 A
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) typical: 2,0 V @ Ic = 50 A, Tj = 25°C
• Potência Dissipada Total (Ptot): 330 W
• Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150°C
• Encapsulamento: EconoPIM™ 2 (standard industrial para módulos de potência)
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)): 0,45 K/W para IGBT, 0,75 K/W para Diodo
• Diodos de Roda Livre: Diodos de recuperação ultrarrápida integrados
• Isolamento: Isolamento básico, testado com 2,5 kV AC
• Gate-Emissor Tensão (Vge) máxima: ±20 V

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação chaveadas, conversores CC/CC, sistemas de energia renovável (eólica, solar), carregadores de bateria de alta potência
• Controle de Movimento: Acionamentos de motores de corrente alternada em pontes rolantes, transportadores, máquinas-ferramenta CNC
• Sistemas de Acionamento: Variadores de velocidade para bombas, ventiladores e compressores
• Geração de Energia: Conversores em turbinas eólicas e inversores solares fotovoltaicos
• Setores: Manufatura, energia, transportes (trem, veículos elétricos), metalurgia, mineração, petroquímico, saneamento