O Módulo IGBT BSM100GD120DLC da Infineon é um componente de potência semicondutor projetado para aplicações de alta eficiência em automação industrial. Este módulo de transistores bipolares de porta isolada (IGBT) oferece controle robusto e comutação rápida, sendo fundamental em conversores e inversores industriais. Sua construção otimiza a dissipação térmica e a durabilidade em ambientes operacionais exigentes.

DETALHES TÉCNICOS

• Semicondutor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Configuração: Half-bridge (meia-ponte)
• Tensão Coletor-Emissor (Vce) máxima: 1200 V
• Corrente Nominal Coletor (Ic) @ 80°C: 100 A
• Corrente Pulsada do Coletor (Icp): 200 A
• Potência de Coletor Dissipada (Pc) @ 25°C: 525 W (0,71 CV)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) @ 25°C: 2,3 V (típico)
• Ganho de Corrente (hFE): N/A (IGBT é controlado por tensão)
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)): 0,28 K/W por IGBT, 0,55 K/W por diodo
• Frequência de Comutação Recomendada: Até 20 kHz
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40°C a +150°C
• Encapsulamento: EconoDual™ (compatível com a maioria das aplicações padrão)
• Diodos de Roda Livre: Integrados, otimizados para comutação rápida

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações:
  • Inversores de frequência (VFDs) para controle de motores AC
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de alta potência
  • Conversores de energia para energia renovável (solar e eólica)
  • Carregadores de bateria de alta corrente, soldadores industriais
  • Sistemas de transporte elétrico (trens, trólebus)
  • Retificadores ativos e compensadores estáticos de potência reativa (SVC/STATCOM)
• Setores:
  • Automação industrial e controle de movimento
  • Geração e distribuição de energia
  • Robótica e máquinas operatrizes
  • Sistemas de transporte e veículos elétricos
  • Siderurgia e bens de capital
  • Indústria de óleo e gás (controle de bombas e compressores)