O Módulo IGBT BSM200GA120DN2S da Infineon é um componente fundamental em aplicações de eletrônica de potência, projetado para oferecer alta eficiência e confiabilidade em sistemas que demandam conversão e controle de energia com precisão e robustez em ambientes industriais.

DETALHES TÉCNICOS

• Fabricante: Infineon
• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Configuração: Half-Bridge (meia-ponte)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 200 A
• Potência de Dissipação Total (Ptot) a 25°C: 1250 W (1700,03 CV)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2,3 V (típico) a Ic = 200 A, Vge = 15 V
• Corrente de Fuga Coletor-Emissor (Ices): 1 mA (máximo) a Vce = 1200 V, Vge = 0 V
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)): 0,1 K/W (por IGBT), 0,2 K/W (por diodo)
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40°C a +150°C
• Encapsulamento: EconoDual 3 (ou equivalente)
• Isolamento: Isolamento básico de 2500 Vrms entre terminais e base
• Tecnologia IGBT: TrenchStop ou similar de baixa perda

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: inversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação chaveadas de alta potência, conversores de energia para energia renovável (solar e eólica), sistemas de tração elétrica, no-breaks (UPS) industriais, soldagem industrial
• Setores: indústria siderúrgica, energia eólica e solar, automotivo (veículos elétricos e híbridos), transporte ferroviário, automação industrial, robótica, equipamentos de soldagem, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS)