O IGBT BSM25GD120DN2 INFINEON é um semicondutor de potência robusto, projetado para aplicações de automação industrial que exigem alta eficiência e controle preciso de energia. Este módulo oferece desempenho confiável em conversão de potência, essenciais para sistemas de controle de motores e inversores, garantindo estabilidade e durabilidade em ambientes operacionais desafiadores.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: BSM25GD120DN2
• Fabricante: INFINEON
• Tipo de encapsulamento: Módulo de potência
• Configuração: Dual IGBT com diodo de recuperação rápida
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima: 1200 V
• Corrente de Coletor (Ic) nominal: 25 A a 80 °C
• Potência de Coleta Dispersa (Ptot) máxima: 140 W
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) típica: 2,2 V a Ic=25 A, Tj=25 °C
• Tensão de Gatilho-Emissor (Vge) recomendada: +/- 20 V
• Temperatura de Junção (Tj) operacional: -40 °C a +150 °C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)) máxima: 0,9 K/W por IGBT
• Construção: Tecnologia Trenchstop Fieldstop para menor perda de condução e comutação
• Material do encapsulamento: Carcaça isolada para fácil montagem em dissipadores de calor

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, servo drives, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), solda industrial, carregadores de bateria, conversores DC/DC
• Sistemas de controle: Controle de motores CA/CC em linha de produção, sistemas de tração elétrica
• Geração de energia: Inversores solares e sistemas de energia eólica
• Setores: Manufatura, energia renovável, transporte, metalurgia, mineração, robótica