O Módulo IGBT M-SKIIP III é um componente de potência semicondutor de alto desempenho, projetado para aplicações em automação industrial que requerem conversão e controle de energia eficientes. Ele integra IGBTs e diodos em um único encapsulamento compacto, otimizando o desempenho e a confiabilidade em sistemas de acionamento de motores e inversores.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: SKIIP36NAB126V1
• Tipo: Módulo IGBT com fonte de energia Miniskiip II
• Corrente Nominal Coletor-Emissor (IC): 70 A
• Tensão Nominal Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Topologia: Meia-ponte
• Tecnologia IGBT: Trench-Field Stop
• Diodos: Diodos de roda livre com recuperação suave
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)): Típica de 1,9 V a 70 A, 25°C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)): Typ. 0,22 K/W por IGBT, Typ. 0,35 K/W por Diodo
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +175 °C
• Dimensões (CxLxA): 82 mm x 59 mm x 16 mm
• Encapsulamento: SEMIKRON M-SKIIP III (MINISKIIP II 3)
• Conexões: Pinos de potência e controle soldados por pressão (press-fit)
• Sem Pinos: Versão sem a placa de controle acoplada

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para controle de motores CA, fontes de alimentação chaveadas de alta potência, conversores CC-CC, acionamentos de tração, sistemas de energia renovável (eólica e solar).
• Linhas de produção: Controle de movimento em robótica industrial, máquinas CNC, linhas de automação e montagem industriais.
• Setores: Manufatura, energia renovável, transporte (veículos elétricos e tração ferroviária), eletrônica de potência, petroquímica.