O Módulo IGBT BSM300GA120DN2S da Infineon é uma solução de potência robusta para aplicações industriais de alta tensão e corrente. Este componente é fundamental para a conversão e controle de energia, garantindo desempenho e eficiência em sistemas complexos de automação. Sua construção e características técnicas foram projetadas para oferecer confiabilidade em ambientes exigentes.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT Fase Simples (Half-Bridge)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 300 A (a 25 °C)
• Corrente de Coletor Pulsada (Icp): 600 A
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2,05 V (típico @ 300 A, 25 °C)
• Energia de Chaveamento (Eon/Eoff): 20 mJ / 11 mJ (típico @ 300 A, 1200 V, 25 °C)
• Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150 °C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)): 0,08 K/W (IGBT), 0,16 K/W (Diodo)
• Encapsulamento: SEMITRANS® 2
• Configuração Interna: Half-Bridge com diodos de roda livre integrados
• Potência Dissipada Total (Ptot): 625 W (0,85 CV) (a 25 °C)
• Isolamento Dielétrico: 2500 Vrms (entre terminals e base)

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: inversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação chaveadas de alta potência, conversores CC-CC, retificadores de potência, equipamentos de solda industrial, sistemas de energia eólica e solar.
• Sistemas de Acionamento: controle de motores em pontes rolantes, transportadores, extrusoras e máquinas-ferramenta.
• Infraestrutura de Energia: sistemas UPS (No-Breaks), carregadores de bateria de alta capacidade, estações de recarga para veículos elétricos.
• Setores: manufatura pesada, energia eólica e solar, ferroviário, marítimo, automação de processos, mineração, indústria siderúrgica.