O Módulo IGBT Transistor FZ1200R12KF5 da Infineon é um componente semicondutor de potência de alta performance, projetado para aplicações exigentes em automação industrial. Sua robustez e eficiência o tornam fundamental para o controle de grandes correntes e tensões em sistemas eletrônicos de potência.

DETALHES TÉCNICOS

• Marca: Infineon
• Modelo: FZ1200R12KF5
• Tipo de Componente: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Configuração: Chopper (Single switch)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 1200 A
• Corrente de Coletor Pulsada (Icp): 2400 A
• Potência de Dissipação Total (Pd): 7,2 kW (9,79 CV)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2,3 V (típica a 1200 A)
• Corrente de Gate de Pico (Igmax): ±20 V
• Frequência de Comutação Máxima: 20 kHz
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +150 °C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)): 0,026 K/W
• Encapsulamento: IHM B (Industry Standard Housing, Large Power Module)
• Isolamento: Isolamento elétrico otimizado para alta tensão
• Conectividade: Terminais de parafuso para alta corrente

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores de alta potência, conversores CC/CA, fontes de alimentação de grande porte, sistemas de energia renovável, carregadores de baterias de veículos elétricos.
• Linhas de produção: Controle de motores em pontes rolantes, compressores de grande porte, extrusoras e prensas industriais.
• Setores: Energia eólica, energia solar, transporte ferroviário, siderurgia, mineração, construção naval, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), automação pesada.