O Módulo IGBT FP25R12KE3 da Infineon é um dispositivo semicondutor de potência robusto, projetado para aplicações que demandam alta eficiência e confiabilidade em sistemas de automacao industrial. Ele integra transistores de efeito de campo de porta isolada (IGBTs) e diodos de roda livre, oferecendo desempenho otimizado para conversão de energia e acionamento de motores em ambientes industriais exigentes.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT em Meia-Ponte (Half-Bridge)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) Máxima: 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic) @ 25°C: 25 A
• Corrente Pulsada de Coletor (Icp): 50 A
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) Típica: 1,9 V @ 25 A
• Potência Dissipada Total (Ptot) @ 25°C: 150 W
• Tecnologia IGBT: TrenchStop™ e Campo-Stop 3 (FS3)
• Díodo de Roda Livre: Díodo Fast Recovery (FRD) integrado
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)) IGBT: 0,83 K/W
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)) Díodo: 1,7 K/W
• Tensão de Isolação (Visol): 2500 V (RMS) por 1 minuto
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +150 °C
• Encapsulamento: EconoPIM™ 2 (módulo de potência compacto com terminais para parafusos)
• Conformidade: RoHS

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Converters de frequência (inversores), sistemas de acionamento de motores (drives), fontes de alimentação ininterruptas (UPS), carregadores de bateria, soldagem industrial
• Sitemas de controle: Robótica industrial, máquinas-ferramenta, sistemas de controle de movimento, elevadores
• Setores: Manufatura, energia eólica, solar, mineração, petroquímica, tratamento de água