O Módulo IGBT N-CH FF300R17KE3 da Infineon Technologies é um componente de potência semicondutor projetado para aplicações de alta tensão e corrente em sistemas de automação industrial. Sua construção robusta e características elétricas otimizadas garantem controle eficiente e confiável em conversores, inversores e retificadores, contribuindo para a estabilidade e performance de sistemas eletrônicos de potência de grande escala.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de encapsulamento: Módulo padrão
• Configuração: Half-bridge (Meia-ponte)
• Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Polaridade: N-canal
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima: 1700 V (1,7 kV)
• Corrente de Coletor (Ic) @ 25°C: 404 A
• Corrente de Coletor (Ic) @ 80°C: 300 A
• Potência de dissipação (Pd) @ 25°C: 1,9 kW (2,58 CV)
• Tensão de saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) máxima @ 300 A, 125°C: 2,45 V
• Limiar de tensão Gate-Emissor (Vge(th)): 5,8 V (típico)
• Corrente reversa do diodo (If) @ 25°C: 300 A
• Temperatura máxima de operação da junção: 150 °C
• Temperatura mínima de operação da junção: -40 °C
• Massa: 155 g (típico)
• Conformidade: RoHS

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, conversores DC-DC, fontes de alimentação chaveadas de alta potência, sistemas de tração, carregadores de veículos elétricos, retificadores ativos, acionamentos de motores.
• Setores: Energia renovável (eólica, solar), tração ferroviária, sistemas de transmissão e distribuição de energia, automotivo (veículos elétricos e híbridos), indústria pesada, robótica, automação de fábricas.