O Módulo Transistor IGBT BSM300GA120DN2F30 da Siemens é um componente de potência essencial para automação industrial, projetado para oferecer comutação de alta velocidade e eficiência energética em diversas aplicações. Sua robustez e desempenho garantem controle preciso e confiabilidade operacional em sistemas críticos.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Dispositivo: Módulo Transistor de Porta Bipolar de Comportamento Isolado (IGBT)
• Modelo: BSM300GA120DN2F30
• Fabricante: Siemens
• Tensão Nominal Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 300 A (a Ta = 25 °C)
• Configuração: Dual (Half-Bridge)
• Potência de Dissipação Máxima (Ptot): 2,3 kW (3,13 CV)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCEsat): Típica de 2,2 V (a Ic = 300 A, Tj = 25 °C)
• Corrente de Porta Máxima (Ige): ±20 V
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +150 °C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rthjc): Típica de 0,08 K/W
• Pacote: Módulo de potência industrial
• Comprimento de Onda da Porta (Lg): 12,3 µm
• Tempo de Comutação: Tempo de atraso de ligar (td(on)) 0,2 µs; Tempo de subida (tr) 0,1 µs
• Capacitância de Entrada (Cies): Típica de 25 nF

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores elétricos, conversores CC/CA, fontes de alimentação chaveadas de alta potência, retificadores ativos, sistemas de energia renovável (e.g., inversores solares/eólicos), acionamentos para automação industrial, sistemas de aquecimento por indução.
• Equipamentos: Robôs industriais, máquinas-ferramenta, equipamentos de soldagem, sistemas de tração elétrica.
• Setores: Manufatura, energia, transportes, mineração, indústria pesada, robótica.