O Módulo Semicondutor IGBT Siemens 6SY70000AF12 é um componente fundamental em aplicações de alta potência, essencial para a conversão e controle de energia em sistemas complexos de automação industrial. Este módulo oferece desempenho robusto e eficiente, otimizando a operação de equipamentos críticos.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Referência do fabricante: 6SY70000AF12
• Tensão nominal do coletor-emissor (Vce): 1200 V
• Corrente nominal do coletor (Ic): 100 A (a 80 °C)
• Potência de condução nominal: 2,3 kW (3,13 CV) por módulo
• Configuração: Half-bridge (Ponte Hálf) com diodos de roda livre integrados
• Temperatura máxima de junção: 150 °C
• Encapsulamento: Padrão industrial, otimizado para dissipação térmica
• Conexões: Terminais de parafuso para alta confiabilidade e fácil integração
• Isolamento: Isolamento galvânico robusto, prevenindo interferências elétricas
• Tecnologia de chip: Tecnologia Trench Field Stop de última geração, garantindo baixa perda de comutação

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Conversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), sistemas de energia renovável (solar e eólica), unidades de tração, equipamentos de solda industrial, sistemas de aquecimento por indução, acionamentos de alta potência
• Setores: Energia, indústria pesada (siderurgia, cimento), mineração, ferroviário, indústria petroquímica, manufatura automotiva, papel e celulose