O Módulo IGBT Transistor FZ1000R12KF5 da Siemens é uma solução robusta e de alta performance para aplicações de eletrônica de potência em ambientes de automação industrial. Ele provê controle eficiente e confiável de potência em larga escala, fundamental para o funcionamento de conversores e inversores industriais.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: FZ1000R12KF5
• Tipo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 1000 A
• Invólucro: Módulo padrão para montagem em dissipadores, otimizado para alta dissipação térmica
• Configuração: Posição única
• Resistência Térmica (Rth(j-c) per switch): 0,009 K/W
• Potência de Comutação Típica: Aproximadamente 400 kW (543,85 CV) para aplicações de inversores
• Frequência de Operação Máxima: 15 kHz
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)): 2,0 V @ 1000 A, 25°C
• Proteções Integradas: Diodos internos para proteção contra sobretensão
• Material do Substrato: Cobre, para melhor condução térmica
• Conformidade: RoHS

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores CA, conversores CC/CC de alta potência, fontes de alimentação chaveadas em larga escala, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply), acionamentos de tração
• Linhas de Produção: Moinhos de laminação, extrusoras de plástico, ventiladores industriais de grande porte, bombas de alta capacidade
• Sistemas Robóticos: Braços robóticos de alta carga e velocidade
• Setores: Metalurgia, energia eólica, ferroviário, mineração, siderurgia, petróleo e gás, eletrificação industrial