O Módulo Semicondutor IGBT 6SY70000AC77 da Siemens é um componente fundamental em sistemas de eletrônica de potência industrial, projetado para conversão e controle de energia com alta eficiência. Sua capacidade de chaveamento rápido e robustez o torna indispensável em aplicações que exigem controle preciso de potência e durabilidade operacional.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: 6SY70000AC77
• Tipo de Dispositivo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Fabricante: Siemens
• Tensão Nominal de Bloqueio (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 1200 A
• Encapsulamento: Configuração de módulo de potência padrão para montagem em dissipadores de calor
• Topologia Interna: Half-bridge ou full-bridge, otimizada para alta potência
• Tensão de Saturação de Coletor-Emissor (Vce(sat)): Tipicamente baixa para minimizar perdas de condução
• Corrente de Gate (Ig): Requerida em nível de miliamperes para chaveamento, com controle de tensão
• Frequência Máxima de Chaveamento: Otimizada para aplicações de média a alta frequência
• Resistência Térmica: Baixa para garantir dissipação eficiente de calor e estabilidade operacional
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +150 °C (típico)
• Conformidade: RoHS (Restrição de Substâncias Perigosas)

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores elétricos, conversores e retificadores de alta potência, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), sistemas de energia renovável (solar e eólica), equipamentos de solda industrial, sistemas de tração para veículos elétricos e trens.
• Setores: Geração e Transmissão de Energia, Automação Industrial, Transporte Ferroviário, Eletrônica Embarcada, Metalurgia Pesada, Mineração, Setor Naval.