MÓDULO IGBT SEMIX603GB12E4IP SEMIKRON

O Módulo IGBT SEMIX603GB12E4IP da Semikron é um componente de potência semicondutor de alto desempenho, essencial para a conversão e controle eficiente de energia em aplicações de automação industrial. Ele oferece robustez e confiabilidade para sistemas que demandam alta performance e gerenciamento térmico otimizado.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Configuração: Fase única ou trifásica (dependendo da arquitetura interna específica do modelo)
• Tensão de coletor-emissor Vces: 1200 V
• Corrente de coletor contínua Ic: 400 A (a 25 °C)
• Corrente de coletor pulsada Icp: 800 A
• Potência de condução nominal: 2,3 kW (3,13 CV) por chave (valores típicos, variam conforme a aplicação e configuração)
• Resistência de saturação Vce(sat): 2,2 V (típico a Ic=400 A, Tj=125 °C)
• Proteções internas: Diodos de roda livre com baixa queda de tensão
• Encapsulamento: SEMIX 3 (Standard Industrial Module)
• Resistência térmica Rth(jh): Aproximadamente 0,08 K/W por chave
• Temperatura de operação da junção Tj: -40 °C a +150 °C
• Isolamento elétrico: 4000 V_RMS

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Conversores de frequência para motores CA, inversores de solda, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), inversores solares e eólicos, retificadores de potência.
• Setores: Energia renovável, siderurgia, ferroviário, equipamentos industriais pesados, robótica, sistemas de tração, eletrificação automotiva (veículos elétricos).