O Módulo de Potência IGBT 20750MI1C770D740 da Rockwell Allen-Bradley é um componente essencial para a conversão e controle eficiente de energia em sistemas de automação industrial. Projetado para robustez e desempenho em ambientes desafiadores, ele otimiza a operação de inversores e conversores.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: 20750MI1C770D740
• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Marca: Rockwell Automation, Allen-Bradley
• Corrente Nominal de Saída (400V): 770 A
• Corrente Nominal de Saída (480V): 740 A
• Tensão Nominal de Operação: 400 - 480 V CA
• Frequência de Operação: 50/60 Hz
• Grau de Proteção: IP00 (Proteção contra acesso a partes perigosas, sem proteção contra água)
• Fator de Potência: > 0,98 (típico)
• Eficiência: > 98% (carga nominal)
• Dissipação de Potência Máxima: 2,3 kW (3,13 CV)
• Interface de Comunicação: Compatível com protocolos industriais padrão Rockwell
• Dimensões (AxLxP): Especificações de frame Frame 8M
• Massa: Consultar folha de dados do fabricante para valor exato do modelo
• Material da Carcaça: Base de alumínio para dissipação térmica eficiente
• Temperatura de Operação: 0 °C a 50 °C
• Temperatura de Armazenamento: -25 °C a 70 °C
• Umidade Relativa: 5% a 95% (sem condensação)

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, conversores CC/CA, sistemas de acionamento de motores de grande porte, fontes de alimentação regenerativas, aplicações de energia renovável
• Sistemas de Acionamento: Motores assíncronos e síncronos em máquinas industriais, transportadores, bombas e ventiladores
• Setores: Mineração, saneamento, energia, manufatura pesada, indústria siderúrgica, petroquímica, cimenteiro