O Módulo IGBT 7MBR35SB120-50 SIEMENS é um componente semicondutor de potência de alta performance, projetado para aplicações em automação industrial e sistemas de conversão de energia. Ele converte e controla energia elétrica com elevada eficiência e confiabilidade, sendo crucial em projetos que demandam robustez e precisão operacional.

DETALHOS TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Modelo: 7MBR35SB120-50
• Fabricante: SIEMENS
• Configuração: Módulo trifásico de seis unidades, com diodos de roda livre integrados
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic): 35 A
• Potência de Dissipação (Pd): Aproximadamente 170 W (para Tc = 25°C)
• Conexão: Terminais de parafuso para potência e pinos para controle
• Encapsulamento: Compacto e robusto, otimizado para dissipação térmica eficiente
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40°C a +150°C
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)): Baixa, garantindo eficiente remoção de calor
• Frequência de Comutação: Ideal para frequências de comutação elevadas, tipicamente na faixa de kHz
• Circuito de Portão: Requer circuito de driver de porta externo para operação adequada

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, fontes de alimentação chaveadas, sistemas UPS (No-Break)
• Conversores: Conversores DC/AC e AC/DC para controle de motores e geradores
• Equipamentos de Solda: Fontes de energia para soldagem industrial
• Energias Renováveis: Inversores para sistemas solares e eólicos
• Veículos Elétricos: Conversores em trens e outros transportes elétricos
• Setores: Manufatura, energia, automotivo, transporte, eletrônica de potência, robótica