O Módulo IGBT BSM100GB120DN2FE3256 EUPEC é um dispositivo semicondutor de potência de alto desempenho, essencial para aplicações de automação industrial. Projetado para chaveamento eficiente de altas correntes e tensões, ele habilita o controle preciso em motores, inversores e fontes de alimentação, sendo um componente crítico para a eficiência e confiabilidade de sistemas modernos.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Fabricante: EUPEC (Infineon Technologies)
• Modelo: BSM100GB120DN2FE3256
• Configuração: Half-Bridge (meia ponte)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) Máxima: 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic) @ 25°C: 100 A
• Potência de Dissipação (Ptot) @ 25°C: 500 W
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) Típica: 2,3 V @ 100 A, 125°C
• Corrente de Gate-Emissor (Iges) Máxima: ±40 V
• Temperatura Máxima de Operação da Junção (Tj): 150°C
• Resistência Térmica da Junção para o Gabinete (Rth(jc)): 0,25 K/W por IGBT
• Encapsulamento: Módulo padrão para montagem em dissipador de calor
• Terminais: Parafusáveis, para conexão robusta
• Diodos de Roda Livre: Integrados, para proteção contra sobretensão indutiva

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações:
  • Inversores de frequência para controle de motores elétricos
  • Conversores de energia para sistemas de tração
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e chaveadas (SMPS)
  • Sistemas de aquecimento por indução
  • Soldagem industrial
  • Geradores eólicos e sistemas de energia solar fotovoltaica
• Setores:
  • Energia renovável (eólica, solar)
  • Ferramentas de máquina e automação de fábrica
  • Transporte (veículos elétricos, trens, metrôs)
  • Manufatura em geral
  • Robótica industrial
  • Mineração