O Módulo IGBT FZ1600R12KF4S1 da SEMIKRON representa um componente semicondutor de potência avançado, essencial para converter e controlar energia elétrica em aplicações de automação industrial de alta exigência. Sua robustez e eficiência garantem a operação estável em sistemas de propulsão, acionamentos e fontes de alimentação industriais.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: FZ1600R12KF4S1
• Fabricante: SEMIKRON
• Configuração: Módulo trifásico de freio (chopper)
• Classe de tensão do coletor-emissor (Vces): 1200 V
• Corrente nominal do coletor (Ic, a 80 ºC): 1600 A
• Corrente de pico do coletor (Icm): 3200 A
• Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat), a 1600 A, 125 ºC): 2,05 V típica
• Perdas de chaveamento (Eon + Eoff, a 1600 A, 125 ºC): 900 mJ típicas
• Resistência térmica, junção-caixa (Rth(j-c)): 0,0093 K/W por IGBT
• Temperatura máxima de operação da junção (Tj_max): 150 ºC
• Encapsulamento: SEMIKRON SKiM® 93
• Tecnologia de chip: Trench/Field Stop IGBT4 para baixa perda de condução e chaveamento
• Tecnologia de solda: Tecnologia de ligação por pressão (press-fit) para alta confiabilidade
• Montagem: Chassi por parafusos
• Peso aproximado: 1,5 kg

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores de grande porte, conversores para turbinas eólicas, sistemas de tração elétrica (locomotivas, veículos elétricos), fontes de alimentação ininterruptas (UPS) de alta potência, retificadores ativos, conversores CC/CC de alta potência, carregadores de bateria para veículos elétricos pesados
• Setores: Energia renovável (eólica, solar), transportes (ferroviário, automotivo pesado), indústria de processos (metalurgia, mineração), sistemas de distribuição de energia, fabricação de equipamentos pesados, automatização de grandes infraestruturas