O MÓDULO IGBT FF200R12KT4 da Infineon é um dispositivo de potência semicondutor de chaveamento rápido, fundamental para sistemas de automação industrial de alta performance. Sua arquitetura de transistores bipolares de porta isolada (IGBT) garante alta eficiência e confiabilidade em conversão de energia, sendo empregado em acionamentos, inversores e fontes de alimentação comutadas.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de módulo: IGBT de seis pacotes (seis-pack)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima: 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic) @ 80°C: 200 A
• Corrente Pulsada de Coletor (Icm) máxima: 400 A
• Potência de dissição máxima (Pd) @ 25°C: 990 W (1346,02 CV)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat)) típica @ 200A: 2,05 V
• Temperatura de Operação da Junção (Tj) máxima: 150°C
• Encapsulamento: ECONO 2
• Configuração: Seis IGBTs com diodos de roda livre (FwD - Freewheeling Diodes)
• Resistência térmica Junção-Caixa (Rth(jc)): 0,13 K/W para IGBT e 0,26 K/W para Diodo
• Tecnologia: Trenchstop/Fieldstop

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: inversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), carregadores de bateria, conversores de energia eólica e solar, sistemas de tração elétrica.
• Sistemas de controle: acionamentos de servomotores precisos, controle de processos industriais, equipamentos de soldagem industrial.
• Setores: energia renovável, sistemas de transporte, automação de fábricas, robótica, HVAC industrial, mineração, petróleo e gás.