O Módulo IGBT FZ1200R12HE4 da Infineon é um componente de potência semicondutor de chaveamento rápido para uso em automação industrial, otimizado para operações de comutação em média e alta frequência. Sua robustez e alta capacidade de corrente são cruciais para a eficiência energética e controle preciso em aplicações industriais.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Modelo: FZ1200R12HE4
• Fabricante: Infineon
• Configuração: Módulo trifásico de meio-ponte (Half-Bridge)
• Tensão de Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic, nom): 1200 A
• Corrente de Coletor Pulsada (Icpuls): 2400 A
• Potência Dissipada Total (Ptot) a Tc = 25 °C: 7,1 kW (9,65 CV)
• Tensão Limite de Gate-Emissor (VGEmax): +/- 20 V
• Temperatura de Operação da Junção (Tj,op): -40 °C a 150 °C
• Tecnologia: Trenchstop™ IGBT4 e Diodo Emissor de Luz (EC Diode) otimizados
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)) por IGBT: 0,021 K/W
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)) por Diodo: 0,042 K/W
• Invólucro: IHM B (Industry Standard Housing Modul B)
• Isolamento: Isolamento elétrico otimizado da base para o dissipador de calor

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Conversores de frequência para motores CA, sistemas de tração, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), inversores solares, sistemas de soldagem de alta potência, carregadores de bateria de alta corrente, propulsão elétrica
• Linhas de produção: Sistemas de acionamento de máquinas industriais pesadas, controle de processos com grandes demandas de potência
• Setores: Energia renovável (eólica, solar), setor de transporte (ferroviário, elétrico), indústria siderúrgica, mineração, petróleo e gás, fabricação de papel, equipamentos médicos de alta potência