O MÓDULO IGBT FZ2400R12HE4B9 da Infineon é um componente de potência semicondutor de alto desempenho, essencial para conversores de energia em aplicações de automação industrial, onde a eficiência e a robustez são primordiais. Ele permite o controle preciso de grandes fluxos de corrente e tensão em sistemas críticos.

DETALHOS TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Modelo: FZ2400R12HE4B9
• Fabricante: Infineon
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente Nominal de Coletor (Ic_nom): 2400 A a 25°C
• Energia de Chaveamento (Eon/Eoff) Típica: Reduzida para alta eficiência
• Topologia: Meia-ponte de três níveis
• Frequência de Chaveamento Máxima: Otimizada para aplicações de alta potência
• Resistência Térmica Junção a Carcaça (Rth(j-c)): Baixa, para excelente dissipação de calor
• Material da Baixa: AlN (Nitreto de Alumínio) com base de Cu (Cobre)
• Terminais: Para conexão por parafusos (screw terminals)
• Temperatura Máxima de Operação da Junção (Tj_max): 150°C
• Encapsulamento: Robustos, adequados para ambientes industriais severos
• Potência de Dissipação Máxima: Calculada em função da corrente e perda de comutação

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores de grande potência, conversores para fontes de energia renovável (eólica, solar), tração elétrica (locomotivas, veículos pesados), UPS industriais, retificadores de alta potência, fontes de alimentação comutadas para sistemas de alta tensão.
• Linhas de Produção: Sistemas de acionamento de extrusoras, laminadores, bombas de grande porte, compressores em indústrias petroquímicas e de mineração.
• Setores: Energia renovável, transportes (ferroviário e veículos elétricos), sistemas de transmissão de energia, indústria pesada (siderurgia, cimento), mineração, petroquímica, instalações de teste de alta potência.