O Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CM400HU-24F da Mitsubishi é um dispositivo semicondutor de potência de alta performance, projetado para controle e conversão de energia em sistemas industriais. Ele é crucial para a operação eficiente de inversores de frequência e fontes de alimentação chaveadas em ambientes de automação industrial.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT
• Modelo: CM400HU-24F
• Marca: Mitsubishi
• Corrente Nominal Coletor-Emissor (Ic): 400 A
• Tensão Nominal Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Configuração: Módulo trifásico de Ponte Completa (Full Bridge)
• Voltagem de Isolamento (Viso): 2500 Vrms (AC 1 min)
• Estrutura: Diodo de Roda Livre (Freewheeling Diode) integrado
• Resistência Térmica (Rth(j-c)): 0,07 K/W por IGBT, 0,14 K/W por Diodo
• Potência de Dissipação (Pd): 1900 W (por módulo)
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40 °C a +150 °C
• Encapsulamento: Tipo encapsulado em resina, IP00

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência para motores CA, fontes de alimentação chaveadas, sistemas de tração elétrica, retificadores ativos, conversores CC/CC, máquinas de solda industriais, sistemas de energia renovável (eólica, solar).
• Linhas de produção: Controle de velocidade de motores e acionamentos, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
• Setores: Metalurgia (fornos de indução, laminação), químico e petroquímico (bombas, compressores), plástico e borracha (extrusoras, injetoras), mineração (correias transportadoras, ventiladores), ferroviário (tração, sistemas auxiliares), energia renovável (conversores para turbinas eólicas e painéis solares).