O MÓDULO IGBT BSM400GA120DN2S da INFINEON é um componente de potência semicondutor projetado para comutação de alta velocidade em aplicações de automação industrial, essencial para a conversão e controle eficiente de energia em sistemas eletrônicos de potência, garantindo desempenho robusto e confiável.

DETALHES TÉCNICOS

• Tipo de Módulo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Fabricante: Infineon
• Modelo: BSM400GA120DN2S
• Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200 V
• Corrente de Coletor Contínua (Ic, 25°C): 400 A
• Corrente de Coletor Contínua (Ic, 80°C): 300 A
• Potência de Dissipação Total (Ptot, 25°C): 2,30 kW (3,13 CV)
• Topologia: Meia Ponte (Half-Bridge)
• Díodo de Roda Livre: Integrado (Fast Recovery Diode)
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor (Vce(sat), 25°C, Ic=400A): 2,40 V (típico)
• Tempo de Comutação: Otimizado para alta frequência
• Corrente de Gate (Ig): ±20 V máximo
• Temperatura de Operação da Junção (Tj): -40°C a +150°C
• Encapsulamento: Módulo de potência industrial
• Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(jc)): 0,07 K/W por IGBT

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, Conversores CC-CA, Fontes de alimentação chaveadas de alta potência, Sistemas de tração, Soldagem industrial, Sistemas de energia renovável, Acionamentos de motores.
• Sectores: Energia Eólica, Solar, Transportes (ferroviário, elétrico), Metalurgia, Máquinas-ferramenta, Sistemas de elevação, Manuseio de materiais, Robótica industrial.