O MÓDULO IGBT SEMITRANS 3 SKM200GB176D é um componente de potência semicondutor de alto desempenho, essencial para a conversão de energia em sistemas robustos de automação industrial. Este módulo tipo half-bridge oferece controle preciso de corrente e tensão em aplicações de alta potência.

DETALHES TÉCNICOS

• Modelo: SKM200GB176D
• Tipo de encapsulamento: SEMITRANS 3
• Configuração: Half-Bridge (meia ponte)
• Tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima: 1700 V
• Corrente de Coletor (Ic) nominal a 80°C: 260 A
• Corrente de Coletor (Ic) pulsada máxima: 400 A
• Potência de condução nominal: 2,3 kW (3,13 CV)
• Número de pinos: 7
• Tensão isolamento: 4000 V_RMS
• Resistência térmica, chip-caixa (Rth(j-c)) IGBT: 0,08 K/W
• Resistência térmica, chip-caixa (Rth(j-c)) Diodo: 0,13 K/W
• Temperatura máxima de junção (Tj): 150 °C
• Material da base: Cobre
• Tecnologia IGBT: Trench/Field-Stop
• Diodos de roda livre: Integrados

APLICAÇÕES E SETORES

• Aplicações: Inversores de frequência, conversores DC/DC, fontes de alimentação chaveadas, sistemas de tração, UPX, carregadores de baterias industriais, soldagem industrial
• Sistemas de controle: Acionamento de motores elétricos, controle de sistemas de aquecimento por indução, retificadores ativos
• Setores: Energia renovável (conversores para turbinas eólicas e inversores solares), Transmissão e distribuição de energia, Ferroviário, Metalúrgico, Petroquímico, Máquinas pesadas